關於植髮
植髮手術程序
植髮手術原理是將頭部現有的毛囊做重新分配,從後枕部或兩側取出健康的毛囊,後枕部毛囊不受二氫睪固酮(DHT)影響,屬終生不脫落區域,移植到前面落髮區域這些被移植毛囊會在新位置繼續生長。
植髮手術需要醫師專業的技術、具有美感的設計以及植髮團隊專業分工,以確保植入的毛囊能夠成功生長,並與周圍的頭髮自然融合。
FUE ( Follicular Unit Excision 毛囊單位摘取術 )

FUE植髮手術,或是”微創植髮手術”,手術前會根據需要移植的毛囊數量,於後腦勺(後枕部位)進行局部剃髮,在局部麻醉下以直徑0.8mm~1.0mm的鑽取器取出毛囊,所以傷口較FUT植髮手術更小。FUE微創傷口可以隱藏在頭髮中,恢復時間也較短,隔天即可正常活動和工作。將毛囊精細地處理好後,移植到需求部位,毛囊的生長狀態通常不太會受到影響,可以達到90%以上的存活率。
哪些人適合植髮手術/植鬍手術
- 雄性禿、前額髮線後退、頭頂稀疏的男性
- 頭髮稀疏、部分範圍髮量稀少的女性
- 受傷或手術後的傷口修復
- 希望透過植髮達到美型效果(植鬍、鬢角、眉毛、髮際線修飾)
哪些人不適合植髮手術/植鬍手術
- 頭部廣泛性落髮,呈現平均稀鬆狀態(無法從濃密髮區移植到稀疏髮區)
- 供髮區(後腦部)缺乏可供移植毛髮
- 蟹足腫髮友(術後蟹足腫恐影響外觀)
- 化療導致落髮或其他原因(無法維持植髮效果)
- 甲狀腺機能亢進或低下髮友
- 紅斑性狼瘡髮友(治好疾病,才有機會改善落髮)
在 凡恩絲 做FUE微創植髮手術的優勢

醫師資訊 案例見證
凡恩絲診所院長 - 沈彥廷醫師,進入高雄醫學院整形外科訓練六年後取得整形外科專科醫師執照,先後任職於高雄醫學院和大同醫院整形外科十年,擔任大同醫院整形外科主任三年,轉任凡登整形外科集團後擔任凡恩絲診所院長。在各式植髮手術與頭皮養護已深耕10年以上,擁有豐富經驗以及美感。
凡恩絲植髮手術3大關鍵:
- 微創毛囊提取:凡恩絲診所採用寇約翰機器的專利蓮花鑽頭,直徑0.8~1.0mm鑽孔,在後枕部分散提取健康毛囊,並保持周圍組織的完整性,頭皮上只會出現微小的圓形傷口,術後傷口出血小、癒合快速,疤痕不明顯。
- 優質毛囊篩選:凡恩絲診所搭配專業的分髮師團隊,毛囊離開人體愈久,存活率越低,經驗豐富的分髮師團隊能夠快速提取的毛囊並篩選分類,並放入低溫生長溶液中,促進其存活和生長,提高存活率,以確保毛囊在移植過程後能夠成功生根。
- 植髮筆種植:篩選好的毛囊會經由植髮筆在需要植髮區域進行種植,沈彥廷院長的精密操作可以控制毛流方向和密度,確保每株毛囊的完整性並穩定生長。
植髮手術需要條件
- 取髮區毛囊健康: 穩定且健康的取髮區毛囊對於植髮手術來說是必要的,足夠健康毛囊確保術後毛囊在植髮區的存活率,達到理想的外觀呈現。
- 可移植毛囊數量足夠: 取髮區有足夠數量的毛囊,才能夠兼顧植髮區與取髮區的毛髮密度,避免不盡人意的植髮區外觀,或過度摘取毛囊導致取髮區過於光禿。
- 賀爾蒙水平穩定: 內分泌失調有可能導致額外的落髮,影響植髮手術後的毛囊健康。穩定的賀爾蒙水平能夠確保影響落髮的因素最少化,從而對症下藥,搭配植髮手術與其他療程解決落髮或落髮的問題。
- 良好生活習慣: 規律的生活作息與良好的衛生、飲食、運動習慣都有助於植髮手術的術後恢復以及毛囊存活率。另外,吸菸攝入的尼古丁、菸焦油與一氧化碳皆會影響術後傷口的癒合能力以及毛髮生長的環境與速度,因此建議癮君子逐漸減少菸品的使用量,以及盡可能減少接觸二手菸,再來進行植髮手術,以達到更好的術後效果。
植髮手術麻醉方式
局部麻醉是植髮手術常用的麻醉方式,透過局部注射麻醉藥物來麻痹植髮區域的神經,使髮友在手術期間感覺不到疼痛。這種麻醉方式是安全且有效的,可以讓髮友保持清醒,並且可以根據髮友疼痛變化調整麻醉的程度
植髮術後效果
植髮手術效果相較於其他美容手術更需要耐心等待
術後約1-2周呈現短短刺刺的,結痂皮不要硬摳,藉由洗頭慢慢軟化脫落
術後約3-4周漸漸進入休止落髮期,大量脫落剩2-3成
術後約3-4個月進入生長期,頭髮開始慢慢冒出
術後約6-9個月可以看出明顯對比,這時候有些區域會毛囊炎,剛長出頭髮會有些捲曲
術後約12-15個月生長穩定期
種植的密度不會跟原生髮密度一樣,但可以達到至少2/3以上的密度。單次手術種植密度太高會有擠壓、瓜分營養等問題, 如果要跟原生密度一樣,就會建議要二次手術!
植髮術後護理
術後第3天開始每日洗頭使用溫和不刺激洗髮精,水壓低、溫涼水、泡沫多、傷口區“按壓”清洗、冷風吹乾、勿指甲摳刮
術後大約3週~1個月可能有結痂皮產生老廢角質,會慢慢脫落
高強度運動、游泳、潛水、溫泉等,術後一個月再進行
如使用生髮產品.術後3個月再進行使用,避免紅腫發炎
如需使用髮膠、髮蠟,建議術後一個月以上再使用,請使用在髮絲上,勿接觸頭皮
如需染、燙髮,請於術後三個月以上再進行